半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710233508.X

申请日：

2017-04-11

公开(公告)号：

CN107301971A

公开(公告)日：

2017-10-27

发明(设计)人：

筱原正昭

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21764 H01L2966 H01L2978

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉;张昊

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20171027
2017-10-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

神田良 ;

松浦仁 .

中国专利 :CN109216446A ,2019-01-15

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

菅谷慎二 ;

桥本浩一 ;

鹰尾义弘 .

中国专利 :CN1734769A ,2006-02-15

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

木村广嗣 ;

西村正 ;

鹤田孝弘 ;

有本和民 ;

山形整人 ;

藤岛一康 .

中国专利 :CN1053296C ,1996-10-09

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐甲隆 ;

户田麻美 .

中国专利 :CN101132004B ,2008-02-27

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

森井胜巳 ;

大津良孝 ;

大西一真 ;

新田哲也 ;

城本龙也 ;

德光成太 .

中国专利 :CN102157431A ,2011-08-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

斋藤仁 ;

王文生 .

中国专利 :CN105374819B ,2016-03-02

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