半导体器件的测试及半导体器件制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN99105025.8
申请日
1999-04-23
公开(公告)号
CN1157775C
公开(公告)日
1999-11-03
发明(设计)人
植田刚文
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L2166
IPC分类号
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王以平
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件、半导体显示器件及半导体器件的制造方法 [P]. 
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宫入秀和 .
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[2]
半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P]. 
重岁卓志 .
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[3]
半导体器件及用于制造半导体器件的测试方法 [P]. 
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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