半导体器件的薄膜和金属线的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610172432.6

申请日：

2006-12-27

公开(公告)号：

CN1992176A

公开(公告)日：

2007-07-04

发明(设计)人：

李汉春

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的薄膜和金属线的制造方法 [P].

白寅哲 ;

李汉春 .

中国专利 :CN1992177A ,2007-07-04

[2]

半导体器件的金属线及其制造方法 [P].

洪韺玉 ;

李东奂 .

中国专利 :CN101101904A ,2008-01-09

[3]

半导体器件中的金属线及其制造方法 [P].

尹基准 .

中国专利 :CN101471284A ,2009-07-01

[4]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

表成奎 .

中国专利 :CN1351374A ,2002-05-29

[5]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

金奭中 .

中国专利 :CN102376639A ,2012-03-14

[6]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

金正根 ;

郑哲谟 ;

金恩洙 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101154624A ,2008-04-02

[7]

用于半导体器件的金属线及其制造方法 [P].

朱星中 ;

李汉春 .

中国专利 :CN1925150A ,2007-03-07

[8]

用于形成半导体器件的金属线的方法 [P].

沈相哲 .

中国专利 :CN101471286A ,2009-07-01

[9]

半导体器件的金属线及其制造方法 [P].

金承显 .

中国专利 :CN101211890A ,2008-07-02

[10]

半导体器件的金属线及金属线的制作方法 [P].

吕游 ;

田野 ;

彭雄 ;

姚业旺 ;

张帆 .

中国专利 :CN117712034A ,2024-03-15

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