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带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010221959.3
申请日：
2020-03-26
公开(公告)号：
CN111752085A
公开(公告)日：
2020-10-09
发明(设计)人：
中川真德
小坂井弘文
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G03F124
IPC分类号：
G03F720
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
王利波;杨薇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-10-09 | 公开 | 公开 |
| 2022-03-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/24 申请日:20200326 |