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带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模及制造方法、及半导体装置制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011059191.0
申请日：
2020-09-30
公开(公告)号：
CN112666788A
公开(公告)日：
2021-04-16
发明(设计)人：
铃木宏太 尾上贵弘
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G03F124
IPC分类号：
G03F150 G03F154 G03F160 H01L21027 H01L21033
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
杨薇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-04-16 公开 公开
2022-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/24 申请日:20200930
共 50 条
[1]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 .
中国专利 :CN114424119A ,2022-04-29
[2]
反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
笑喜勉 .
日本专利 :CN113767332B ,2024-09-10
[3]
反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
笑喜勉 .
中国专利 :CN113767332A ,2021-12-07
[4]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
小坂井弘文 .
中国专利 :CN111752085A ,2020-10-09
[5]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
小坂井弘文 .
日本专利 :CN111752085B ,2024-06-18
[6]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
小坂井弘文 .
日本专利 :CN118567174A ,2024-08-30
[7]
反射型掩模坯料、反射型掩模及反射型掩模坯料的制造方法 [P]. 
生越大河 ;
金子英雄 ;
稻月判臣 ;
高坂卓郎 .
日本专利 :CN121115389A ,2025-12-12
[8]
反射型光掩模坯料、反射型光掩模及半导体装置的制造方法 [P]. 
金山浩一郎 ;
松尾正 ;
西山泰史 .
中国专利 :CN100454485C ,2007-11-14
[9]
反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料 [P]. 
稻月判臣 ;
高坂卓郎 ;
寺泽恒男 .
中国专利 :CN113341644A ,2021-09-03
[10]
反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法 [P]. 
高坂卓郎 ;
稻月判臣 ;
生越大河 .
日本专利 :CN119902409A ,2025-04-29
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