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反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110229567.6
申请日：
2021-03-02
公开(公告)号：
CN113341644A
公开(公告)日：
2021-09-03
发明(设计)人：
稻月判臣 高坂卓郎 寺泽恒男
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
G03F124
IPC分类号：
G03F168 C23C1404 C23C1418 C23C1435 C23C1450 C23C1454
代理机构：
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人：
陈冠钦
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-09-03 公开 公开
共 50 条
[1]
反射型掩模坯料、反射型掩模及反射型掩模坯料的制造方法 [P]. 
生越大河 ;
金子英雄 ;
稻月判臣 ;
高坂卓郎 .
日本专利 :CN121115389A ,2025-12-12
[2]
反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法 [P]. 
高坂卓郎 ;
稻月判臣 ;
生越大河 .
日本专利 :CN119902409A ,2025-04-29
[3]
反射型掩模坯料和反射型掩模的制造方法 [P]. 
稻月判臣 ;
高坂卓郎 ;
生越大河 ;
樱井敬佑 ;
三村祥平 ;
金子英雄 .
日本专利 :CN119493327A ,2025-02-21
[4]
反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法 [P]. 
生越大河 ;
稻月判臣 ;
金子英雄 ;
高坂卓郎 .
日本专利 :CN119916636A ,2025-05-02
[5]
反射型掩模坯料和反射型掩模的制造方法 [P]. 
稻月判臣 ;
高坂卓郎 ;
生越大河 ;
樱井敬佑 ;
三村祥平 ;
金子英雄 .
日本专利 :CN119493328A ,2025-02-21
[6]
反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法 [P]. 
高坂卓郎 ;
生越大河 .
日本专利 :CN117631434A ,2024-03-01
[7]
反射型掩模坯料和反射型掩模 [P]. 
三村祥平 ;
金子英雄 ;
寺泽恒男 .
中国专利 :CN115016223A ,2022-09-06
[8]
反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模 [P]. 
高坂卓郎 ;
三村祥平 ;
山本拓郎 ;
稻月判臣 .
中国专利 :CN113515006A ,2021-10-19
[9]
反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法 [P]. 
高坂卓郎 ;
生越大河 ;
稻月判臣 ;
金子英雄 .
中国专利 :CN115494692A ,2022-12-20
[10]
反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
笑喜勉 .
日本专利 :CN113767332B ,2024-09-10
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