晶片的制造方法与多项目晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710186911.8

申请日：

2007-11-13

公开(公告)号：

CN100580872C

公开(公告)日：

2008-12-03

发明(设计)人：

郑荣伟李明机陈永庆李新辉

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2166 H01L2178 H01L2130 H01L21301 H01L21306 H01L21304 H01L2150 H01L2702

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

陈晨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-13	授权	授权
2009-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片的制造方法及晶片 [P].

木田隆广 ;

宫崎诚一 ;

西村和彦 ;

林伸之 ;

新井克典 .

中国专利 :CN100365774C ,2005-08-03

[2]

元件晶片和元件晶片的制造方法 [P].

奥村美香 ;

堀川牧夫 ;

佐藤公敏 ;

山口靖雄 .

中国专利 :CN101539586A ,2009-09-23

[3]

半导体多项目或多产品晶片制造工艺 [P].

甘万达 .

中国专利 :CN102446708B ,2012-05-09

[4]

半导体多项目或多产品晶片制造工艺 [P].

甘万达 .

中国专利 :CN105404091A ,2016-03-16

[5]

晶片处理系统及制造晶片的方法 [P].

凯文·P·费尔贝恩 ;

哈里·蓬内坎蒂 ;

克里斯托弗·莱恩 ;

罗伯特·爱德华·韦斯 ;

伊恩·拉奇福特 ;

特里·布卢克 .

中国专利 :CN101208454A ,2008-06-25

[6]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

[7]

贴合晶片的制造方法 [P].

森本信之 ;

远藤昭彦 .

中国专利 :CN101145512A ,2008-03-19

[8]

半导体晶片的制造方法及半导体晶片 [P].

牧野亮平 ;

熊田贵夫 ;

江户雅晴 ;

高木启史 .

中国专利 :CN104064444A ,2014-09-24

[9]

半导体晶片及制造半导体晶片的方法 [P].

弗洛里安·施密特 ;

海默·舒切尔 ;

迈克尔·齐恩曼 .

中国专利 :CN102810517B ,2012-12-05

[10]

半导体晶片的制造方法和半导体晶片 [P].

金子忠昭 ;

大谷升 ;

牛尾昌史 ;

安达步 ;

野上晓 .

中国专利 :CN103857835A ,2014-06-11

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