一种半导体材料BaFxZnAs及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310119534.1

申请日：

2013-04-08

公开(公告)号：

CN104099664B

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

陈碧娟邓正靳常青

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

C30B2910

IPC分类号：

C30B110

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-03	授权	授权
2014-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588366320 IPC(主分类):C30B 29/10 专利申请号:2013101195341 申请日:20130408
2014-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法 [P].

王庶民 ;

潘文武 ;

李耀耀 ;

王朋 ;

王凯 ;

吴晓燕 ;

崔健 .

中国专利 :CN104810454A ,2015-07-29

[2]

一种半导体材料、半导体器件及制备方法 [P].

查显弧 ;

张道华 ;

万玉喜 ;

李翔 .

中国专利 :CN118621440B ,2024-11-22

[3]

一种半导体材料、半导体器件及制备方法 [P].

查显弧 ;

张道华 ;

万玉喜 ;

李翔 .

中国专利 :CN118621440A ,2024-09-10

[4]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

张俊 ;

望贤成 .

中国专利 :CN107887098A ,2018-04-06

[5]

一种有机半导体材料及其制备方法 [P].

姬晓旭 .

中国专利 :CN109851762A ,2019-06-07

[6]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

邓晨华 ;

于忠海 ;

孔森 ;

杨森 .

中国专利 :CN114156405B ,2025-11-28

[7]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

邓晨华 ;

于忠海 ;

孔森 ;

杨森 .

中国专利 :CN114156405A ,2022-03-08

[8]

一种稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

赵侃 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN103911660B ,2014-07-09

[9]

一种合金热电半导体材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

李娟 .

中国专利 :CN107799646A ,2018-03-13

[10]

一种铁磁半导体材料Li(Zn,Mn)P及其制备方法 [P].

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN104058376B ,2014-09-24

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