一种半导体材料、半导体器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411098062.0

申请日：

2024-08-12

公开(公告)号：

CN118621440B

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

查显弧张道华万玉喜李翔

申请人：

深圳平湖实验室

申请人地址：

518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋

IPC主分类号：

C30B29/22

IPC分类号：

H01L29/24 H01L29/06 H01L21/02 C30B25/02

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

刘亚威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/22申请日:20240812
2024-09-10	公开	公开
2024-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体材料、半导体器件及制备方法 [P].

查显弧 ;

张道华 ;

万玉喜 ;

李翔 .

中国专利 :CN118621440A ,2024-09-10

[2]

一种半导体材料、制备方法和半导体器件 [P].

马乾志 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

姚祖英 ;

马坤 ;

张雨杭 ;

张奇 ;

魏启旺 ;

罗朝阳 ;

谷海云 .

中国专利 :CN116053192B ,2024-02-09

[3]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

于贝贝 ;

方潇功 ;

张俊龙 ;

项少华 ;

王琛 .

中国专利 :CN118335686A ,2024-07-12

[4]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15

[5]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

林笛 ;

黄艳 ;

赵晓燕 ;

李鑫昊 ;

范明远 .

中国专利 :CN118073206B ,2024-07-23

[6]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

于贝贝 ;

方潇功 ;

张俊龙 ;

项少华 ;

王琛 .

中国专利 :CN118335686B ,2025-02-07

[7]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

林笛 ;

黄艳 ;

赵晓燕 ;

李鑫昊 ;

范明远 .

中国专利 :CN118073206A ,2024-05-24

[8]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

李枭 ;

谢志平 .

中国专利 :CN118522641A ,2024-08-20

[9]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870B ,2025-12-30

[10]

一种半导体器件及半导体器件的制备方法 [P].

李立均 ;

王敏 ;

周豪 ;

郭元旭 .

中国专利 :CN118235256A ,2024-06-21

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