半导体封装件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811132809.4

申请日：

2018-09-27

公开(公告)号：

CN109585391A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

刘重希李建勋吴俊毅侯皓程林鸿仁郑荣伟王宗鼎梁裕民邹立为

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2348

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20180927
2019-04-05	公开	公开
2020-12-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体封装件、封装件及其形成方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN112582365A ,2021-03-30

[2]

半导体封装件、封装件及其形成方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN112582365B ,2024-09-24

[3]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

林俊成 ;

蔡柏豪 .

中国专利 :CN105374693B ,2016-03-02

[4]

半导体封装件及其形成方法 [P].

张荣华 ;

何健旸 ;

高金福 .

中国专利 :CN111128762A ,2020-05-08

[5]

半导体封装件及其形成方法 [P].

蔡仲豪 ;

林佳加 ;

吴凯强 ;

王垂堂 ;

余振华 .

中国专利 :CN110299351B ,2019-10-01

[6]

半导体封装件及其形成方法 [P].

霍斯特·托伊斯 .

中国专利 :CN103311222A ,2013-09-18

[7]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

郑明达 .

中国专利 :CN105679741A ,2016-06-15

[8]

半导体封装件及其形成方法 [P].

伊万·尼基廷 ;

爱德华·菲尔古特 .

中国专利 :CN103383921B ,2013-11-06

[9]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

郭宏瑞 ;

郑明达 ;

胡毓祥 .

中国专利 :CN105679718A ,2016-06-15

[10]

半导体封装件及其形成方法 [P].

张爱妮 ;

金泳龙 ;

张在权 .

中国专利 :CN103531547A ,2014-01-22

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