半导体封装件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310073377.5

申请日：

2013-03-07

公开(公告)号：

CN103311222A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

霍斯特·托伊斯

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

李静;王素贞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531540524 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013100733775 申请日:20130307
2013-09-18	公开	公开
2016-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体封装件及其形成方法 [P].

伊万·尼基廷 ;

爱德华·菲尔古特 .

中国专利 :CN103383921B ,2013-11-06

[2]

半导体封装件及其形成方法 [P].

吴政达 .

中国专利 :CN114823556A ,2022-07-29

[3]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

郭宏瑞 ;

蔡惠榕 .

中国专利 :CN107689333A ,2018-02-13

[4]

半导体封装件及其形成方法 [P].

刘重希 ;

李建勋 ;

吴俊毅 ;

侯皓程 ;

林鸿仁 ;

郑荣伟 ;

王宗鼎 ;

梁裕民 ;

邹立为 .

中国专利 :CN109585391A ,2019-04-05

[5]

半导体封装件及其形成方法 [P].

张爱妮 ;

金泳龙 ;

张在权 .

中国专利 :CN103531547A ,2014-01-22

[6]

半导体器件、半导体封装件及其形成方法 [P].

黄翰祥 ;

温俊贤 ;

叶庭聿 ;

张志伟 .

中国专利 :CN118173501A ,2024-06-11

[7]

半导体封装件、封装件及其形成方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN112582365A ,2021-03-30

[8]

半导体封装件、封装件及其形成方法 [P].

陈明发 ;

叶松峯 ;

陈宪伟 .

中国专利 :CN112582389A ,2021-03-30

[9]

封装件、半导体封装件及其形成方法 [P].

夏兴国 ;

余振华 ;

曾智伟 ;

巢瑞麟 .

中国专利 :CN117457625A ,2024-01-26

[10]

封装件、半导体封装件及其形成方法 [P].

陈明发 ;

蔡志宗 .

中国专利 :CN120831753A ,2025-10-24

← 1 2 3 4 5 →