半导体器件、半导体封装件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410075427.1

申请日：

2024-01-18

公开(公告)号：

CN118173501A

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

黄翰祥温俊贤叶庭聿张志伟

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/522

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240118
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装件、半导体器件及其形成方法 [P].

萧胜聪 ;

王仁佑 ;

吴仲融 ;

邵栋梁 ;

董志航 .

中国专利 :CN113675178A ,2021-11-19

[2]

半导体封装件、半导体器件及其形成方法 [P].

萧胜聪 ;

王仁佑 ;

吴仲融 ;

邵栋梁 ;

董志航 .

中国专利 :CN113675178B ,2024-03-26

[3]

半导体封装结构、半导体器件及其形成方法 [P].

野口紘希 ;

王奕 .

中国专利 :CN117457627A ,2024-01-26

[4]

半导体封装件、半导体器件及其制造方法 [P].

刘家宏 ;

陈明发 ;

李志煌 ;

陈琮瑜 ;

庄立朴 .

中国专利 :CN121232381A ,2025-12-30

[5]

封装件、半导体器件及其形成方法 [P].

陈宪伟 ;

陈英儒 ;

陈洁 ;

陈明发 .

中国专利 :CN113471141B ,2025-01-17

[6]

半导体器件、封装件及其形成方法 [P].

张宏宾 ;

吴伟诚 ;

叶德强 .

中国专利 :CN118763070A ,2024-10-11

[7]

半导体器件、封装件及其形成方法 [P].

陈明发 ;

叶松峯 ;

陈宪伟 ;

陈洁 .

中国专利 :CN112447646A ,2021-03-05

[8]

封装件、半导体器件及其形成方法 [P].

陈宪伟 ;

陈英儒 ;

陈洁 ;

陈明发 .

中国专利 :CN113471141A ,2021-10-01

[9]

半导体封装件及其形成方法 [P].

蔡仲豪 ;

林佳加 ;

吴凯强 ;

王垂堂 ;

余振华 .

中国专利 :CN110299351B ,2019-10-01

[10]

半导体封装件及其形成方法 [P].

霍斯特·托伊斯 .

中国专利 :CN103311222A ,2013-09-18

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