半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110189169.6
申请日
2021-02-19
公开(公告)号
CN113299623A
公开(公告)日
2021-08-24
发明(设计)人
加藤贵博
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L23495
IPC分类号
H01L2148
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
刘林华;陈浩然
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
加藤贵博 .
日本专利 :CN113299623B ,2025-07-01
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
咲间光广 .
中国专利 :CN113257751A ,2021-08-13
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
福田和彦 ;
丰泽健司 .
中国专利 :CN1862792A ,2006-11-15
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
丸山朋代 ;
矢野祐司 .
中国专利 :CN1815733A ,2006-08-09
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
三田清志 .
中国专利 :CN100336207C ,2004-12-01
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
龟山工次郎 ;
三田清志 .
中国专利 :CN1532938A ,2004-09-29
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
清水一路 ;
户村善广 ;
小野正浩 .
中国专利 :CN101794716A ,2010-08-04
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
平尾高志 ;
露野円丈 ;
清水悠佳 ;
松下晃 .
中国专利 :CN114008775A ,2022-02-01
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
野村泰造 .
中国专利 :CN107871717B ,2018-04-03
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
寺井护 ;
井高志织 ;
中木义幸 ;
末广善幸 .
中国专利 :CN104428889A ,2015-03-18