半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410007206.3

申请日：

2004-02-27

公开(公告)号：

CN1532938A

公开(公告)日：

2004-09-29

发明(设计)人：

龟山工次郎三田清志

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2714

IPC分类号：

H01L2715 H01L3100 H01L3300 H01L2328 H04N1028

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮;杨梧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-29	公开	公开
2008-10-01	授权	授权
2004-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

福田和彦 ;

丰泽健司 .

中国专利 :CN1862792A ,2006-11-15

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

丸山朋代 ;

矢野祐司 .

中国专利 :CN1815733A ,2006-08-09

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

三田清志 .

中国专利 :CN100336207C ,2004-12-01

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

清水一路 ;

户村善广 ;

小野正浩 .

中国专利 :CN101794716A ,2010-08-04

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

平尾高志 ;

露野円丈 ;

清水悠佳 ;

松下晃 .

中国专利 :CN114008775A ,2022-02-01

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

野村泰造 .

中国专利 :CN107871717B ,2018-04-03

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

加藤贵博 .

中国专利 :CN113299623A ,2021-08-24

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

中木义幸 ;

末广善幸 .

中国专利 :CN104428889A ,2015-03-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

咲间光广 .

中国专利 :CN113257751A ,2021-08-13

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

山本圭 ;

中木义幸 .

中国专利 :CN104428890A ,2015-03-18

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