半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280074596.9

申请日：

2012-07-11

公开(公告)号：

CN104428890A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

寺井护井高志织山本圭中木义幸

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

金春实

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605748216 IPC(主分类):H01L 23/31 专利申请号:2012800745969 申请日:20120711
2017-10-24	授权	授权
2015-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

中木义幸 ;

末广善幸 .

中国专利 :CN104428889A ,2015-03-18

[2]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[3]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN103151433A ,2013-06-12

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

福田和彦 ;

丰泽健司 .

中国专利 :CN1862792A ,2006-11-15

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

朝妻庸纪 ;

冨谷茂隆 ;

玉村好司 ;

东条刚 ;

后藤修 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1933105A ,2007-03-21

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

丸山朋代 ;

矢野祐司 .

中国专利 :CN1815733A ,2006-08-09

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

三田清志 .

中国专利 :CN100336207C ,2004-12-01

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

龟山工次郎 ;

三田清志 .

中国专利 :CN1532938A ,2004-09-29

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎浩次 ;

荒木健 .

中国专利 :CN105247666B ,2016-01-13

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

清水一路 ;

户村善广 ;

小野正浩 .

中国专利 :CN101794716A ,2010-08-04

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