半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610159297.1

申请日：

2002-10-03

公开(公告)号：

CN1933105A

公开(公告)日：

2007-03-21

发明(设计)人：

朝妻庸纪冨谷茂隆玉村好司东条刚后藤修元木健作

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L3300 H01L2930 H01S5323 C30B2502 C30B2940

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-21	公开	公开
2020-09-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20021003 授权公告日:20081203 终止日期:20191003
2008-12-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN103151433A ,2013-06-12

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴俊仪 ;

陈志谚 ;

洪章响 ;

黄嘉庆 .

中国专利 :CN111987141A ,2020-11-24

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈志谚 ;

洪章响 .

中国专利 :CN111668302A ,2020-09-15

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

中木义幸 ;

末广善幸 .

中国专利 :CN104428889A ,2015-03-18

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈志谚 .

中国专利 :CN110875383A ,2020-03-10

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

玉利慎一 ;

中村光宏 ;

胁园幸二 ;

西田知矢 ;

指宿勇二 .

中国专利 :CN101989601A ,2011-03-23

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈志谚 .

中国专利 :CN111092118A ,2020-05-01

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

山本圭 ;

中木义幸 .

中国专利 :CN104428890A ,2015-03-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

富田英幹 ;

兼近将一 ;

桑原诚 ;

上田博之 .

中国专利 :CN105593979A ,2016-05-18

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

丸井俊治 ;

大来英之 ;

星真一 ;

户田典彦 .

中国专利 :CN101335296A ,2008-12-31

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