半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910427485.5

申请日：

2019-05-22

公开(公告)号：

CN111987141A

公开(公告)日：

2020-11-24

发明(设计)人：

吴俊仪陈志谚洪章响黄嘉庆

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2941 H01L21335 H01L29778

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;任默闻

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190522
2020-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

李家豪 ;

洪章响 ;

马洛宜·库马 ;

廖志成 .

中国专利 :CN110690275A ,2020-01-14

[2]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN103151433A ,2013-06-12

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

朝妻庸纪 ;

冨谷茂隆 ;

玉村好司 ;

东条刚 ;

后藤修 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1933105A ,2007-03-21

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈志谚 ;

洪章响 .

中国专利 :CN111668302A ,2020-09-15

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

中木义幸 ;

末广善幸 .

中国专利 :CN104428889A ,2015-03-18

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈志谚 .

中国专利 :CN110875383A ,2020-03-10

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

玉利慎一 ;

中村光宏 ;

胁园幸二 ;

西田知矢 ;

指宿勇二 .

中国专利 :CN101989601A ,2011-03-23

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈志谚 .

中国专利 :CN111092118A ,2020-05-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

山本圭 ;

中木义幸 .

中国专利 :CN104428890A ,2015-03-18

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

富田英幹 ;

兼近将一 ;

桑原诚 ;

上田博之 .

中国专利 :CN105593979A ,2016-05-18

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