半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610006835.3

申请日：

2006-02-05

公开(公告)号：

CN1862792A

公开(公告)日：

2006-11-15

发明(设计)人：

福田和彦丰泽健司

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-15	公开	公开
2017-03-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101709595699 IPC(主分类):H01L 23/31 专利号:ZL2006100068353 申请日:20060205 授权公告日:20090819 终止日期:20160205
2009-08-19	授权	授权
2007-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构 [P].

小坂幸广 ;

中村嘉文 ;

手谷道成 .

中国专利 :CN101221932A ,2008-07-16

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹内慎 .

中国专利 :CN106898593B ,2017-06-27

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

中川和之 ;

马场伸治 ;

加藤武海 .

中国专利 :CN106233461A ,2016-12-14

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

丸山朋代 ;

矢野祐司 .

中国专利 :CN1815733A ,2006-08-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

塚越功二 .

中国专利 :CN110277368A ,2019-09-24

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

三田清志 .

中国专利 :CN100336207C ,2004-12-01

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

龟山工次郎 ;

三田清志 .

中国专利 :CN1532938A ,2004-09-29

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

清水一路 ;

户村善广 ;

小野正浩 .

中国专利 :CN101794716A ,2010-08-04

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

成濑俊道 ;

高田秀夫 .

中国专利 :CN102194771A ,2011-09-21

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

平尾高志 ;

露野円丈 ;

清水悠佳 ;

松下晃 .

中国专利 :CN114008775A ,2022-02-01

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