半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611031782.0

申请日：

2016-11-22

公开(公告)号：

CN106898593B

公开(公告)日：

2017-06-27

发明(设计)人：

竹内慎

申请人：

申请人地址：

日本京都市

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2510 H01L2198

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

杨晶;王琦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101736025424 IPC(主分类):H01L 23/498 专利申请号:2016110317820 申请日:20161122
2019-06-21	授权	授权
2017-06-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

福田和彦 ;

丰泽健司 .

中国专利 :CN1862792A ,2006-11-15

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

塚越功二 .

中国专利 :CN110277368A ,2019-09-24

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

成濑俊道 ;

高田秀夫 .

中国专利 :CN102194771A ,2011-09-21

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

关根重信 .

中国专利 :CN108573935A ,2018-09-25

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹泽真 .

中国专利 :CN104851851B ,2015-08-19

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

长尾浩一 .

中国专利 :CN1391278A ,2003-01-15

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

谷本智 ;

山下真理 .

中国专利 :CN112930595A ,2021-06-08

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

鹿野武敏 .

中国专利 :CN101626001B ,2010-01-13

[9]

半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

高桥健司 .

中国专利 :CN1738027A ,2006-02-22

[10]

半导体装置以及其制造方法 [P].

河崎一茂 ;

栗田洋一郎 ;

筑山慧至 ;

三浦正幸 .

中国专利 :CN104465577A ,2015-03-25

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