半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610006835.3

申请日：

2006-02-05

公开(公告)号：

CN1862792A

公开(公告)日：

2006-11-15

发明(设计)人：

福田和彦丰泽健司

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-15	公开	公开
2017-03-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101709595699 IPC(主分类):H01L 23/31 专利号:ZL2006100068353 申请日:20060205 授权公告日:20090819 终止日期:20160205
2009-08-19	授权	授权
2007-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[21]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

山本圭 ;

中木义幸 .

中国专利 :CN104428890A ,2015-03-18

[22]

半导体装置及其制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

日本专利 :CN110517964B ,2024-04-30

[23]

半导体装置及其制造方法 [P].

加藤贵博 .

日本专利 :CN113299623B ,2025-07-01

[24]

半导体装置及其制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

中国专利 :CN110517964A ,2019-11-29

[25]

半导体装置及其制造方法 [P].

长尾浩一 .

中国专利 :CN1391278A ,2003-01-15

[26]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤田努 ;

友野章 ;

大野天颂 .

中国专利 :CN109524358A ,2019-03-26

[27]

半导体装置及其制造方法 [P].

田中淳也 .

中国专利 :CN104756249A ,2015-07-01

[28]

半导体装置及其制造方法 [P].

原田启行 ;

原田耕三 ;

畑中康道 ;

西村隆 ;

田屋昌树 .

中国专利 :CN108604589A ,2018-09-28

[29]

半导体装置及其制造方法 [P].

谷本智 ;

山下真理 .

中国专利 :CN112930595A ,2021-06-08

[30]

半导体装置及其制造方法 [P].

森修治 ;

清水孝司 ;

西村望 .

中国专利 :CN102177579A ,2011-09-07

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