一种可控制电阻率的新型直拉硅单晶掺杂方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510679222.5

申请日：

2015-10-19

公开(公告)号：

CN105200513A

公开(公告)日：

2015-12-30

发明(设计)人：

张少飞徐荣清隋佳琦由佰玲岳彩广孙毅周超

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

李纳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-30	公开	公开
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652507204 IPC(主分类):C30B 15/04 专利申请号:2015106792225 申请日:20151019
2018-12-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 15/04 申请公布日:20151230

共 50 条

[1]

一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法 [P].

李建弘 ;

张雪囡 ;

李翔 ;

沈浩平 ;

董兆清 .

中国专利 :CN102181919B ,2011-09-14

[2]

一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法 [P].

余学功 ;

肖承全 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN102560627A ,2012-07-11

[3]

一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法 [P].

娄中士 ;

朱鹏浩 ;

李亚哲 ;

张颂越 ;

郑海峰 ;

刘一波 .

中国专利 :CN104831346A ,2015-08-12

[4]

一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法 [P].

菅瑞娟 ;

张雪囡 ;

李建宏 ;

李亚哲 ;

刘一波 ;

宋都明 .

中国专利 :CN102586862A ,2012-07-18

[5]

一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法 [P].

王凯磊 ;

李英涛 ;

王万华 ;

皮小争 ;

方峰 ;

崔彬 .

中国专利 :CN117568929A ,2024-02-20

[6]

用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构 [P].

娄中士 ;

李亚哲 ;

马萌 ;

孙昊 ;

孙毅 .

中国专利 :CN204918835U ,2015-12-30

[7]

直拉硅单晶生长的重掺杂方法 [P].

沈益军 ;

马向阳 ;

田达晰 ;

李立本 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1109778C ,2002-02-27

[8]

直拉硅单晶的掺杂装置及方法 [P].

刘进 ;

王忠保 ;

李巨晓 ;

芮阳 ;

魏兴彤 ;

马小龙 ;

虎永慧 .

中国专利 :CN113549994B ,2021-10-26

[9]

一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法 [P].

余学功 ;

肖承全 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN102560646A ,2012-07-11

[10]

一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法 [P].

张雪囡 ;

徐强 ;

陈澄 ;

宋都明 ;

王林 ;

邬丽丽 ;

苗向春 .

中国专利 :CN102560626A ,2012-07-11

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