一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510304848.8

申请日：

2015-06-04

公开(公告)号：

CN104831346A

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

娄中士朱鹏浩李亚哲张颂越郑海峰刘一波

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

李莉华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101649294131 IPC(主分类):C30B 15/04 专利申请号:2015103048488 申请日:20150604
2015-08-12	公开	公开
2019-05-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 15/04 申请公布日:20150812

共 50 条

[1]

低电阻率重掺砷硅单晶生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564693B ,2021-10-29

[2]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[3]

一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法 [P].

张雪囡 ;

徐强 ;

陈澄 ;

宋都明 ;

王林 ;

邬丽丽 ;

苗向春 .

中国专利 :CN102560626A ,2012-07-11

[4]

低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法 [P].

伊冉 ;

王黎光 ;

张兴茂 ;

闫龙 ;

李小红 .

中国专利 :CN113668048A ,2021-11-19

[5]

一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法 [P].

王凯磊 ;

李英涛 ;

王万华 ;

皮小争 ;

方峰 ;

崔彬 .

中国专利 :CN117568929A ,2024-02-20

[6]

能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法 [P].

张兴茂 ;

闫龙 ;

王忠保 ;

李小红 ;

伊冉 .

中国专利 :CN113584585B ,2021-11-02

[7]

降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法 [P].

魏兴彤 ;

杨凯 ;

芮阳 ;

伊冉 ;

王忠保 ;

王黎光 ;

曹启刚 .

中国专利 :CN120138780A ,2025-06-13

[8]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[9]

一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法 [P].

李建弘 ;

张雪囡 ;

李翔 ;

沈浩平 ;

董兆清 .

中国专利 :CN102181919B ,2011-09-14

[10]

一种可控制电阻率的新型直拉硅单晶掺杂方法 [P].

张少飞 ;

徐荣清 ;

隋佳琦 ;

由佰玲 ;

岳彩广 ;

孙毅 ;

周超 .

中国专利 :CN105200513A ,2015-12-30

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