降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510373280.9

申请日：

2025-03-27

公开(公告)号：

CN120138780A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

魏兴彤杨凯芮阳伊冉王忠保王黎光曹启刚

申请人：

宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

申请人地址：

750000 宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号

IPC主分类号：

C30B15/04

IPC分类号：

C30B15/20 C30B9/06

代理机构：

宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105

代理人：

邢芳丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/04申请日:20250327
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

低电阻率重掺砷硅单晶生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564693B ,2021-10-29

[2]

能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法 [P].

张兴茂 ;

闫龙 ;

王忠保 ;

李小红 ;

伊冉 .

中国专利 :CN113584585B ,2021-11-02

[3]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[4]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[5]

低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品 [P].

王刚 ;

张友海 ;

杨凯 ;

王黎光 ;

马成 ;

芮阳 ;

白园 ;

李俊丽 .

中国专利 :CN120889019A ,2025-11-04

[6]

一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法 [P].

王学锋 ;

张宏浩 ;

朱晓彤 ;

杨寿亮 ;

赵振辉 ;

朱秦发 .

中国专利 :CN116642914B ,2024-02-13

[7]

低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法 [P].

伊冉 ;

王黎光 ;

张兴茂 ;

闫龙 ;

李小红 .

中国专利 :CN113668048A ,2021-11-19

[8]

降低大尺寸轻掺N型111晶向硅单晶电阻率梯度的拉晶方法 [P].

范吉祥 ;

马武祥 ;

令狐铁兵 ;

张昊 ;

郭可 ;

时中洋 ;

马兆硕 ;

王娜 .

中国专利 :CN117721534A ,2024-03-19

[9]

一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法 [P].

娄中士 ;

朱鹏浩 ;

李亚哲 ;

张颂越 ;

郑海峰 ;

刘一波 .

中国专利 :CN104831346A ,2015-08-12

[10]

一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法 [P].

王凯磊 ;

李英涛 ;

王万华 ;

皮小争 ;

方峰 ;

崔彬 .

中国专利 :CN117568929A ,2024-02-20

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