一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311485633.1

申请日：

2023-11-08

公开(公告)号：

CN117568929A

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

王凯磊李英涛王万华皮小争方峰崔彬

申请人：

山东有研半导体材料有限公司有研半导体硅材料股份公司

申请人地址：

253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/20 C30B15/04

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

刘秀青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省德州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20231108
2024-02-20	公开	公开

共 50 条

[1]

低电阻率重掺砷硅单晶生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564693B ,2021-10-29

[2]

能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法 [P].

张兴茂 ;

闫龙 ;

王忠保 ;

李小红 ;

伊冉 .

中国专利 :CN113584585B ,2021-11-02

[3]

一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法 [P].

娄中士 ;

朱鹏浩 ;

李亚哲 ;

张颂越 ;

郑海峰 ;

刘一波 .

中国专利 :CN104831346A ,2015-08-12

[4]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[5]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[6]

一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法 [P].

王学锋 ;

张宏浩 ;

朱晓彤 ;

杨寿亮 ;

赵振辉 ;

朱秦发 .

中国专利 :CN116642914B ,2024-02-13

[7]

低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法 [P].

伊冉 ;

王黎光 ;

张兴茂 ;

闫龙 ;

李小红 .

中国专利 :CN113668048A ,2021-11-19

[8]

降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法 [P].

魏兴彤 ;

杨凯 ;

芮阳 ;

伊冉 ;

王忠保 ;

王黎光 ;

曹启刚 .

中国专利 :CN120138780A ,2025-06-13

[9]

一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法 [P].

李建弘 ;

张雪囡 ;

李翔 ;

沈浩平 ;

董兆清 .

中国专利 :CN102181919B ,2011-09-14

[10]

用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法 [P].

商润龙 ;

曹启刚 ;

王黎光 ;

马成 ;

芮阳 ;

赵娜 ;

李俊丽 ;

白园 .

中国专利 :CN120989733A ,2025-11-21

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