用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511212901.1

申请日：

2025-08-28

公开(公告)号：

CN120989733A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

商润龙曹启刚王黎光马成芮阳赵娜李俊丽白园

申请人：

宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

申请人地址：

750000 宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号

IPC主分类号：

C30B31/18

IPC分类号：

C30B29/06 C30B31/12 C30B31/16 C30B15/04

代理机构：

宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105

代理人：

杨丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 31/18申请日:20250828
2025-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法 [P].

伊冉 ;

王黎光 ;

张兴茂 ;

闫龙 ;

李小红 .

中国专利 :CN113668048A ,2021-11-19

[2]

低电阻率重掺砷硅单晶生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564693B ,2021-10-29

[3]

用于重掺硅单晶的掺杂方法及掺杂装置 [P].

刘进 ;

徐慶晧 ;

马小龙 ;

曹启刚 ;

王黎光 ;

李巨晓 ;

刘彦鹏 ;

虎永慧 ;

蔡瑞 .

中国专利 :CN115323489A ,2022-11-11

[4]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[5]

固相掺杂装置及重掺砷硅单晶生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

石鑫 .

中国专利 :CN215800037U ,2022-02-11

[6]

能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法 [P].

张兴茂 ;

闫龙 ;

王忠保 ;

李小红 ;

伊冉 .

中国专利 :CN113584585B ,2021-11-02

[7]

一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法 [P].

王凯磊 ;

李英涛 ;

王万华 ;

皮小争 ;

方峰 ;

崔彬 .

中国专利 :CN117568929A ,2024-02-20

[8]

一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置 [P].

郭小勇 ;

吴雷刚 .

中国专利 :CN118727124A ,2024-10-01

[9]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[10]

用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗 [P].

田达晰 ;

马向阳 ;

赵松宏 ;

杨德仁 ;

李立本 .

中国专利 :CN1289722C ,2004-12-22

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