固相掺杂装置及重掺砷硅单晶生产系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121781425.2

申请日：

2021-08-02

公开(公告)号：

CN215800037U

公开(公告)日：

2022-02-11

发明(设计)人：

周文辉王忠保石鑫

申请人：

申请人地址：

750000 宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105

代理人：

孙彦虎

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

固相掺杂方法、装置、重掺砷硅单晶生产系统及生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

石鑫 .

中国专利 :CN113584574B ,2021-11-02

[2]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[3]

低电阻率重掺砷硅单晶生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564693B ,2021-10-29

[4]

重掺砷硅单晶收尾方法及装置 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113564691A ,2021-10-29

[5]

单晶炉掺杂装置、单晶炉和重掺杂硅单晶的拉晶方法 [P].

伊冉 ;

王黎光 ;

芮阳 ;

蔡瑞 ;

李小红 ;

魏兴彤 ;

马吟霜 ;

王忠保 .

中国专利 :CN118880435A ,2024-11-01

[6]

用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法 [P].

商润龙 ;

曹启刚 ;

王黎光 ;

马成 ;

芮阳 ;

赵娜 ;

李俊丽 ;

白园 .

中国专利 :CN120989733A ,2025-11-21

[7]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[8]

一种固相掺杂硅单晶的制备方法 [P].

杨志 ;

郭志荣 ;

王林 ;

程立波 ;

钟旭 ;

刘有益 .

中国专利 :CN115341270A ,2022-11-15

[9]

低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品 [P].

王刚 ;

张友海 ;

杨凯 ;

王黎光 ;

马成 ;

芮阳 ;

白园 ;

李俊丽 .

中国专利 :CN120889019A ,2025-11-04

[10]

直拉硅单晶生长的重掺杂方法 [P].

沈益军 ;

马向阳 ;

田达晰 ;

李立本 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1109778C ,2002-02-27

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