重掺砷硅单晶收尾方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110794760.4

申请日：

2021-07-14

公开(公告)号：

CN113564691A

公开(公告)日：

2021-10-29

发明(设计)人：

闫龙张兴茂周文辉李小红伊冉王忠保

申请人：

申请人地址：

750000 宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B1520 C30B2906

代理机构：

宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105

代理人：

孙彦虎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	公开	公开
2021-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20210714

共 50 条

[1]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[2]

固相掺杂装置及重掺砷硅单晶生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

石鑫 .

中国专利 :CN215800037U ,2022-02-11

[3]

低电阻率重掺砷硅单晶生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564693B ,2021-10-29

[4]

固相掺杂方法、装置、重掺砷硅单晶生产系统及生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

石鑫 .

中国专利 :CN113584574B ,2021-11-02

[5]

降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法 [P].

魏兴彤 ;

杨凯 ;

芮阳 ;

伊冉 ;

王忠保 ;

王黎光 ;

曹启刚 .

中国专利 :CN120138780A ,2025-06-13

[6]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[7]

低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品 [P].

王刚 ;

张友海 ;

杨凯 ;

王黎光 ;

马成 ;

芮阳 ;

白园 ;

李俊丽 .

中国专利 :CN120889019A ,2025-11-04

[8]

一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置 [P].

王林 ;

高润飞 ;

宋都明 ;

陈建梅 ;

张寿星 ;

张颂越 ;

王淼 .

中国专利 :CN105369346A ,2016-03-02

[9]

用于重掺硅单晶的掺杂方法及掺杂装置 [P].

刘进 ;

徐慶晧 ;

马小龙 ;

曹启刚 ;

王黎光 ;

李巨晓 ;

刘彦鹏 ;

虎永慧 ;

蔡瑞 .

中国专利 :CN115323489A ,2022-11-11

[10]

能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法 [P].

张兴茂 ;

闫龙 ;

王忠保 ;

李小红 ;

伊冉 .

中国专利 :CN113584585B ,2021-11-02

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