低电阻率重掺砷硅单晶生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110882455.0

申请日：

2021-08-02

公开(公告)号：

CN113564693B

公开(公告)日：

2021-10-29

发明(设计)人：

周文辉王忠保闫龙

申请人：

申请人地址：

750000 宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105

代理人：

孙彦虎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20210802
2021-10-29	公开	公开
2022-09-27	授权	授权

共 50 条

[1]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[2]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[3]

低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法 [P].

伊冉 ;

王黎光 ;

张兴茂 ;

闫龙 ;

李小红 .

中国专利 :CN113668048A ,2021-11-19

[4]

降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法 [P].

魏兴彤 ;

杨凯 ;

芮阳 ;

伊冉 ;

王忠保 ;

王黎光 ;

曹启刚 .

中国专利 :CN120138780A ,2025-06-13

[5]

低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品 [P].

王刚 ;

张友海 ;

杨凯 ;

王黎光 ;

马成 ;

芮阳 ;

白园 ;

李俊丽 .

中国专利 :CN120889019A ,2025-11-04

[6]

能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法 [P].

张兴茂 ;

闫龙 ;

王忠保 ;

李小红 ;

伊冉 .

中国专利 :CN113584585B ,2021-11-02

[7]

一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法 [P].

王学锋 ;

张宏浩 ;

朱晓彤 ;

杨寿亮 ;

赵振辉 ;

朱秦发 .

中国专利 :CN116642914B ,2024-02-13

[8]

一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法 [P].

娄中士 ;

朱鹏浩 ;

李亚哲 ;

张颂越 ;

郑海峰 ;

刘一波 .

中国专利 :CN104831346A ,2015-08-12

[9]

用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法 [P].

商润龙 ;

曹启刚 ;

王黎光 ;

马成 ;

芮阳 ;

赵娜 ;

李俊丽 ;

白园 .

中国专利 :CN120989733A ,2025-11-21

[10]

一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法 [P].

王凯磊 ;

李英涛 ;

王万华 ;

皮小争 ;

方峰 ;

崔彬 .

中国专利 :CN117568929A ,2024-02-20

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