降低大尺寸轻掺N型111晶向硅单晶电阻率梯度的拉晶方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311759488.1

申请日：

2023-12-20

公开(公告)号：

CN117721534A

公开(公告)日：

2024-03-19

发明(设计)人：

范吉祥马武祥令狐铁兵张昊郭可时中洋马兆硕王娜

申请人：

麦斯克电子材料股份有限公司

申请人地址：

471000 河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号北侧洛阳综合保税区

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/20

代理机构：

洛阳九创知识产权代理事务所(普通合伙) 41156

代理人：

张龙

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-19	公开	公开
2024-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20231220

共 38 条

[1]

降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法 [P].

魏兴彤 ;

杨凯 ;

芮阳 ;

伊冉 ;

王忠保 ;

王黎光 ;

曹启刚 .

中国专利 :CN120138780A ,2025-06-13

[2]

降低<111>晶向重掺单晶电阻率径向变化率的方法、单晶晶棒及应用 [P].

王忠保 ;

马成 ;

芮阳 ;

徐慶晧 ;

王黎光 ;

曹启刚 ;

张昆 .

中国专利 :CN117248268B ,2025-01-24

[3]

能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法 [P].

张兴茂 ;

闫龙 ;

王忠保 ;

李小红 ;

伊冉 .

中国专利 :CN113584585B ,2021-11-02

[4]

一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法 [P].

徐嘉毅 .

中国专利 :CN102181916B ,2011-09-14

[5]

一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法 [P].

王凯磊 ;

李英涛 ;

王万华 ;

皮小争 ;

方峰 ;

崔彬 .

中国专利 :CN117568929A ,2024-02-20

[6]

低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564692B ,2021-10-29

[7]

能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法 [P].

闫龙 ;

张兴茂 ;

周文辉 ;

李小红 ;

伊冉 ;

王忠保 .

中国专利 :CN113638040B ,2021-11-12

[8]

一种生产直拉重掺极低电阻率硅单晶的方法 [P].

娄中士 ;

朱鹏浩 ;

李亚哲 ;

张颂越 ;

郑海峰 ;

刘一波 .

中国专利 :CN104831346A ,2015-08-12

[9]

一种减少大尺寸硅单晶氧化层错的拉晶方法 [P].

马武祥 ;

范吉祥 ;

令狐铁兵 ;

方丽霞 ;

吴彦国 .

中国专利 :CN117431620B ,2024-03-01

[10]

一种减少大尺寸硅单晶氧化层错的拉晶方法 [P].

马武祥 ;

范吉祥 ;

令狐铁兵 ;

方丽霞 ;

吴彦国 .

中国专利 :CN117431620A ,2024-01-23

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