一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法

被引：0

申请号：

CN202110768724.0

申请日：

2021-07-07

公开(公告)号：

CN115602526A

公开(公告)日：

2023-01-13

发明(设计)人：

潘宇徐晓龙李艳平叶堉

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21203 H01L21205 H01L21308 H01L2140

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210707
2023-01-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法 [P].

潘宇 ;

徐晓龙 ;

李艳平 ;

叶堉 .

中国专利 :CN115602526B ,2025-07-15

[2]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[3]

一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法 [P].

潘宇 ;

徐晓龙 ;

李艳平 ;

叶堉 .

中国专利 :CN114373828B ,2024-09-24

[4]

一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法 [P].

潘宇 ;

徐晓龙 ;

李艳平 ;

叶堉 .

中国专利 :CN114373828A ,2022-04-19

[5]

一种掺杂二维半导体的原位制备方法 [P].

张希威 ;

孟丹 ;

田俊龙 .

中国专利 :CN110670048A ,2020-01-10

[6]

大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用 [P].

徐晓龙 ;

叶堉 ;

戴伦 .

中国专利 :CN109727846B ,2019-05-07

[7]

一种二维半导体薄膜的转移方法 [P].

谭化兵 ;

瞿研 ;

郭冰 .

中国专利 :CN117812981A ,2024-04-02

[8]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[9]

一种碲掺杂的二维硒氧化铋及其制备方法与应用 [P].

郑照强 ;

邱展雄 ;

招瑜 .

中国专利 :CN117089820B ,2025-11-21

[10]

一种二维半导体材料相变工程应用 [P].

周鹏 ;

包文中 ;

夏银 .

中国专利 :CN121001559A ,2025-11-21

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