半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610005824.3

申请日：

2006-01-10

公开(公告)号：

CN1819218A

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

松本弘毅

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21762 H01L2184

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101009188507 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2006100058243 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本神奈川县
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101600530699 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2006100058243 申请日:20060110 授权公告日:20090729 终止日期:20140110
2006-08-16	公开	公开
2009-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

儿谷昭一 .

中国专利 :CN101996971A ,2011-03-30

[2]

半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

江头克 .

中国专利 :CN1260804C ,2002-11-13

[3]

半导体器件和半导体晶片及其制造方法 [P].

栗田洋一郎 .

中国专利 :CN101188231A ,2008-05-28

[4]

半导体器件和半导体晶片及其制造方法 [P].

栗田洋一郎 .

中国专利 :CN1716601A ,2006-01-04

[5]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[6]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[7]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相忍 .

中国专利 :CN1039562C ,1994-07-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

方建敏 ;

X·冯 .

中国专利 :CN102194718B ,2011-09-21

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN101789392B ,2010-07-28

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