半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010247364.1
申请日
2010-08-05
公开(公告)号
CN101996971A
公开(公告)日
2011-03-30
发明(设计)人
儿谷昭一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L23485
IPC分类号
H01L23528 H01L2160 H01L21768
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
许玉顺;胡建新
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山世见之 ;
小林正夫 ;
柴田润 ;
马场伸治 ;
渡边正树 .
中国专利 :CN1157481A ,1997-08-20
[2]
半导体器件的制造方法 [P]. 
为则启 .
中国专利 :CN103069546B ,2013-04-24
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
松本弘毅 .
中国专利 :CN1819218A ,2006-08-16
[4]
半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P]. 
江头克 .
中国专利 :CN1260804C ,2002-11-13
[5]
半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P]. 
吉泽和隆 ;
江间泰示 ;
森木拓也 .
中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23
[6]
半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P]. 
大冢敏志 .
中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23
[7]
半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
中村和子 .
中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
李相忍 .
中国专利 :CN1039562C ,1994-07-27
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
林耀剑 ;
陈康 ;
方建敏 ;
X·冯 .
中国专利 :CN102194718B ,2011-09-21
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋叶俊彦 ;
木村稔 ;
小田切政雄 .
中国专利 :CN101789392B ,2010-07-28