半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110061712.0

申请日：

2011-03-15

公开(公告)号：

CN102194718B

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

林耀剑陈康方建敏 X·冯

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L21768 H01L23522

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李娜;蒋骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-21	公开	公开
2020-01-31	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/56 变更事项:专利权人变更前:新科金朋有限公司变更后:新科金朋私人有限公司变更事项:地址变更前:新加坡新加坡市变更后:新加坡新加坡市
2020-01-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/56 登记生效日:20200108 变更事项:专利权人变更前权利人:新科金朋私人有限公司变更后权利人:长电集成电路（绍兴）有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:浙江省绍兴市越城区临江路500号
2015-10-14	授权	授权
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101368932147 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2011100617120 申请日:20110315

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

R.A.帕盖拉 ;

J.A.卡帕拉斯 ;

P.C.马里穆图 .

中国专利 :CN102244013B ,2011-11-16

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相忍 .

中国专利 :CN1039562C ,1994-07-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN101789392B ,2010-07-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN103871993A ,2014-06-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本弘毅 .

中国专利 :CN1819218A ,2006-08-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

利根川丘 .

中国专利 :CN111354626A ,2020-06-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

北尾良平 ;

土屋泰章 .

中国专利 :CN103681616A ,2014-03-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山野孝治 .

中国专利 :CN1630029A ,2005-06-22

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

宇佐美光雄 ;

坪崎邦宏 ;

西邦彦 .

中国专利 :CN1188563A ,1998-07-22

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

河野龙治 ;

有贺昭彦 ;

三浦英生 ;

太田裕之 ;

远藤喜重 ;

金丸昌敏 ;

细金敦 ;

田中伸司 ;

伴直人 ;

青木英之 .

中国专利 :CN1207767C ,2000-03-29

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