半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310384818.3

申请日：

2013-08-29

公开(公告)号：

CN103681616A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

北尾良平土屋泰章

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20130829 授权公告日:20180626 终止日期:20200829
2014-03-26	公开	公开
2015-11-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722938406 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2015-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628630747 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 申请日:20130829
2018-06-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相忍 .

中国专利 :CN1039562C ,1994-07-27

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

方建敏 ;

X·冯 .

中国专利 :CN102194718B ,2011-09-21

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN101789392B ,2010-07-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN103871993A ,2014-06-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本弘毅 .

中国专利 :CN1819218A ,2006-08-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

利根川丘 .

中国专利 :CN111354626A ,2020-06-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山野孝治 .

中国专利 :CN1630029A ,2005-06-22

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

宇佐美光雄 ;

坪崎邦宏 ;

西邦彦 .

中国专利 :CN1188563A ,1998-07-22

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

河野龙治 ;

有贺昭彦 ;

三浦英生 ;

太田裕之 ;

远藤喜重 ;

金丸昌敏 ;

细金敦 ;

田中伸司 ;

伴直人 ;

青木英之 .

中国专利 :CN1207767C ,2000-03-29

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山世见之 ;

小林正夫 ;

柴田润 ;

马场伸治 ;

渡边正树 .

中国专利 :CN1157481A ,1997-08-20

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