半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310384818.3

申请日：

2013-08-29

公开(公告)号：

CN103681616A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

北尾良平土屋泰章

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20130829 授权公告日:20180626 终止日期:20200829
2014-03-26	公开	公开
2015-11-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722938406 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2015-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628630747 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 申请日:20130829
2018-06-26	授权	授权

共 50 条

[31]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

本间博 ;

小田岛均 ;

宫崎忠一 ;

和田隆 ;

大录范行 ;

三田彻 .

中国专利 :CN100334706C ,2005-06-22

[32]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[33]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[34]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[35]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[36]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN103000589A ,2013-03-27

[37]

半导体晶片、半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

榎原淳 .

中国专利 :CN101030573A ,2007-09-05

[38]

半导体晶片、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

大黑达也 .

中国专利 :CN1866529A ,2006-11-22

[39]

半导体器件及其制造方法 [P].

张炳琸 .

中国专利 :CN101290936A ,2008-10-22

[40]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承焕 ;

金吉燮 .

韩国专利 :CN118284034A ,2024-07-02

← 1 2 3 4 5 →