半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310384818.3

申请日：

2013-08-29

公开(公告)号：

CN103681616A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

北尾良平土屋泰章

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20130829 授权公告日:20180626 终止日期:20200829
2014-03-26	公开	公开
2015-11-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722938406 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2015-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628630747 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 申请日:20130829
2018-06-26	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体器件及其制造方法 [P].

西乡薰 ;

永井孝一 .

中国专利 :CN1901146A ,2007-01-24

[42]

半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法 [P].

金野吉人 ;

山田豊 .

中国专利 :CN101765910B ,2010-06-30

[43]

半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

荻野雅彦 ;

上野巧 ;

江口州志 ;

永井晃 ;

佐藤俊也 ;

石井利昭 ;

小角博义 ;

濑川正则 ;

露野円丈 ;

西村朝雄 ;

安生一郎 .

中国专利 :CN100487888C ,2000-07-19

[44]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[45]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备 [P].

田久真也 ;

佐藤二尚 .

中国专利 :CN1269192C ,2004-09-01

[46]

制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备 [P].

高木干夫 .

中国专利 :CN1154571A ,1997-07-16

[47]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.鲍尔 ;

R.黑斯 ;

G.莱希克 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN104465513A ,2015-03-25

[48]

半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

隈川隆博 ;

内海胜喜 ;

松岛芳宏 ;

松浦正美 .

中国专利 :CN1819159A ,2006-08-16

[49]

半导体器件制造方法和半导体晶片 [P].

义田卓司 .

中国专利 :CN108364865A ,2018-08-03

[50]

半导体器件的制造方法 [P].

大村光广 ;

片野真希子 ;

伊藤彰子 ;

松下贵哉 ;

金子尚史 .

中国专利 :CN1316594C ,2005-04-13

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