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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310384818.3
申请日：
2013-08-29
公开(公告)号：
CN103681616A
公开(公告)日：
2014-03-26
发明(设计)人：
北尾良平
土屋泰章
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H01L23538
IPC分类号：
H01L21768
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
李兰;孙志湧
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-08-06 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20130829 授权公告日:20180626 终止日期:20200829 |
| 2014-03-26 | 公开 | 公开 |
| 2015-11-04 | 著录事项变更 | 著录事项变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722938406 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 变更事项:申请人 变更前:瑞萨电子株式会社 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川县 变更后:日本东京 |
| 2015-10-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628630747 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2013103848183 申请日:20130829 |
| 2018-06-26 | 授权 | 授权 |