半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410096017.8

申请日：

2004-11-25

公开(公告)号：

CN1630029A

公开(公告)日：

2005-06-22

发明(设计)人：

山野孝治

申请人：

申请人地址：

日本长野县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21301 H01L2128 H01L213205

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄纶伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20041125 授权公告日:20080312 终止日期:20161125
2006-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-12	授权	授权
2005-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

河野龙治 ;

有贺昭彦 ;

三浦英生 ;

太田裕之 ;

远藤喜重 ;

金丸昌敏 ;

细金敦 ;

田中伸司 ;

伴直人 ;

青木英之 .

中国专利 :CN1207767C ,2000-03-29

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相忍 .

中国专利 :CN1039562C ,1994-07-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 ;

方建敏 ;

X·冯 .

中国专利 :CN102194718B ,2011-09-21

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN101789392B ,2010-07-28

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN103871993A ,2014-06-18

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本弘毅 .

中国专利 :CN1819218A ,2006-08-16

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

利根川丘 .

中国专利 :CN111354626A ,2020-06-30

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑恩洙 .

中国专利 :CN101459157B ,2009-06-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

北尾良平 ;

土屋泰章 .

中国专利 :CN103681616A ,2014-03-26

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

宇佐美光雄 ;

坪崎邦宏 ;

西邦彦 .

中国专利 :CN1188563A ,1998-07-22

← 1 2 3 4 5 →