半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180039092.9

申请日：

2011-09-20

公开(公告)号：

CN103069546B

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

为则启

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21301

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-24	公开	公开
2016-05-04	授权	授权
2013-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101461520896 IPC(主分类):H01L 21/301 专利申请号:2011800390929 申请日:20110920

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

儿谷昭一 .

中国专利 :CN101996971A ,2011-03-30

[2]

制造半导体器件的方法 [P].

藤村隆 .

中国专利 :CN101022081B ,2007-08-22

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

井守义久 ;

堀将彦 .

中国专利 :CN1333443C ,2005-09-14

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

本间博 ;

小田岛均 ;

宫崎忠一 ;

和田隆 ;

大录范行 ;

三田彻 .

中国专利 :CN100334706C ,2005-06-22

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备 [P].

田久真也 ;

佐藤二尚 .

中国专利 :CN1269192C ,2004-09-01

[7]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[8]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[9]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[10]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

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