利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210124956.3

申请日：

2008-06-27

公开(公告)号：

CN102709471A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

A·谢瑞克 S·B·赫纳 M·克拉克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

赵蓉民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-03	公开	公开
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353336611 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2012101249563 申请日:20080627
2016-06-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734778161 IPC(主分类):H01L 45/00 专利号:ZL2012101249563 登记生效日:20160606 变更事项:专利权人变更前权利人:桑迪士克3D公司变更后权利人:桑迪士克科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国得克萨斯州
2014-12-24	授权	授权
2016-09-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738922940 IPC(主分类):H01L 45/00 专利号:ZL2012101249563 变更事项:专利权人变更前:桑迪士克科技股份有限公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯州变更后:美国得克萨斯州

共 50 条

[1]

利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 [P].

A·谢瑞克 ;

S·B·赫纳 ;

M·克拉克 .

中国专利 :CN101720508A ,2010-06-02

[2]

包括电阻切换元件的多位电阻切换存储器单元 [P].

罗伊·E·朔伊尔莱因 .

中国专利 :CN102439665B ,2012-05-02

[3]

存储器单元以及形成存储器单元的方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN113205850A ,2021-08-03

[4]

存储器单元，存储器阵列以及形成它们的方法 [P].

A·谢瑞克 ;

S·B·赫纳 ;

M·科内维奇 .

中国专利 :CN101720506B ,2010-06-02

[5]

采用选择性制造的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法 [P].

阿普里尔·D·施里克 .

中国专利 :CN102047421B ,2011-05-04

[6]

存储器单元及形成存储器单元的方法 [P].

古尔特杰·S·桑胡 ;

帕斯卡尔·斯里尼瓦桑 .

中国专利 :CN104067391A ,2014-09-24

[7]

存储器单元、形成存储器单元的方法及形成经编程的存储器单元的方法 [P].

刘峻 .

中国专利 :CN101939836A ,2011-01-05

[8]

存储器单元及形成存储器单元的方法 [P].

刘海涛 ;

K·M·卡尔达 ;

A·法鲁辛 .

中国专利 :CN109994477A ,2019-07-09

[9]

存储器单元和形成存储器单元的方法 [P].

保田周一郎 ;

诺尔·洛克莱 ;

史考特·E·西利士 ;

D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米 ;

陶谦 .

中国专利 :CN104919590B ,2015-09-16

[10]

存储器单元、形成存储器单元的方法及形成存储器阵列的方法 [P].

刘峻 ;

约翰·K·查胡瑞 .

中国专利 :CN103503142B ,2014-01-08

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