包括电阻切换元件的多位电阻切换存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080021499.4

申请日：

2010-03-30

公开(公告)号：

CN102439665B

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

罗伊·E·朔伊尔莱因

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C1156

IPC分类号：

G11C1300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杜诚;李春晖

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

存储器单元与电阻切换层的合成 [P].

T.张 ;

T.J.明维埃勒 ;

Y-T.陈 .

中国专利 :CN104040746A ,2014-09-10

[2]

具有电阻器、二极管以及切换存储器单元的电阻式切换存储器 [P].

J·丁 ;

V·P·戈皮纳特 ;

N·冈萨雷斯 ;

D·刘易斯 ;

D·卡马拉汉 ;

关明生 .

中国专利 :CN107836023A ,2018-03-23

[3]

包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元 [P].

S·布拉德·赫纳 ;

坦迈·库马尔 ;

克里斯托弗·J·佩蒂 .

中国专利 :CN101208752A ,2008-06-25

[4]

包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元 [P].

S·布拉德·赫纳 ;

坦迈·库马尔 ;

克里斯托弗·J·佩蒂 .

中国专利 :CN102592666A ,2012-07-18

[5]

包括碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法 [P].

阿普里尔·D·施里克 ;

马克·H·克拉克 .

中国专利 :CN102027610B ,2011-04-20

[6]

利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 [P].

A·谢瑞克 ;

S·B·赫纳 ;

M·克拉克 .

中国专利 :CN102709471A ,2012-10-03

[7]

利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 [P].

A·谢瑞克 ;

S·B·赫纳 ;

M·克拉克 .

中国专利 :CN101720508A ,2010-06-02

[8]

电阻切换存储器件和用于形成电阻切换存储器件的方法 [P].

S·纳拉亚南 ;

甘为辰 ;

N·小瓦斯克斯 .

中国专利 :CN115148900B ,2025-02-21

[9]

电阻切换存储器件和用于形成电阻切换存储器件的方法 [P].

S·纳拉亚南 ;

甘为辰 ;

N·小瓦斯克斯 .

中国专利 :CN115148900A ,2022-10-04

[10]

使用包含具可调式电阻的可切换半导体存储器元件的存储器单元的方法 [P].

坦迈·库马尔 ;

布拉德·S·赫纳 ;

罗伊·E·朔伊尔莱茵 ;

克里斯托弗·J·佩蒂 .

中国专利 :CN101288169A ,2008-10-15

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735501015 IPC(主分类):G11C 11/56 专利号:ZL2010800214994 登记生效日:20160622 变更事项:专利权人变更前权利人:桑迪士克3D有限责任公司变更后权利人:桑迪士克技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国德克萨斯州
2015-01-14	授权	授权
2021-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/56 申请日:20100330 授权公告日:20150114 终止日期:20200330
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272513620 IPC(主分类):G11C 11/56 专利申请号:2010800214994 申请日:20100330
2016-08-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101736868191 IPC(主分类):G11C 11/56 专利号:ZL2010800214994 变更事项:专利权人变更前:桑迪士克技术有限公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国德克萨斯州变更后:美国德克萨斯州
2012-05-02	公开	公开