存储器单元与电阻切换层的合成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280065802.X

申请日：

2012-09-06

公开(公告)号：

CN104040746A

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

T.张 T.J.明维埃勒 Y-T.陈

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

万里晴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588504065 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:201280065802X 申请日:20120906
2016-06-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101733564516 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:201280065802X 登记生效日:20160517 变更事项:申请人变更前权利人:桑迪士克3D有限责任公司变更后权利人:桑迪士克科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国得克萨斯州
2014-09-10	公开	公开
2016-08-17	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101737565035 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:201280065802X 变更事项:申请人变更前:桑迪士克科技股份有限公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯州变更后:美国得克萨斯州
2017-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

包括电阻切换元件的多位电阻切换存储器单元 [P].

罗伊·E·朔伊尔莱因 .

中国专利 :CN102439665B ,2012-05-02

[2]

具有电阻器、二极管以及切换存储器单元的电阻式切换存储器 [P].

J·丁 ;

V·P·戈皮纳特 ;

N·冈萨雷斯 ;

D·刘易斯 ;

D·卡马拉汉 ;

关明生 .

中国专利 :CN107836023A ,2018-03-23

[3]

包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元 [P].

S·布拉德·赫纳 ;

坦迈·库马尔 ;

克里斯托弗·J·佩蒂 .

中国专利 :CN101208752A ,2008-06-25

[4]

包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元 [P].

S·布拉德·赫纳 ;

坦迈·库马尔 ;

克里斯托弗·J·佩蒂 .

中国专利 :CN102592666A ,2012-07-18

[5]

电阻式存储器单元 [P].

利奥·拉博里 ;

拉希德·希达 ;

埃里克·雅拉吉耶 ;

高蒂尔·勒费夫尔 ;

加布里埃尔·纳瓦罗 ;

基里安·维雷特 ;

泽维尔·祖奇 ;

罗曼·邦 .

法国专利 :CN118946158A ,2024-11-12

[6]

利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 [P].

A·谢瑞克 ;

S·B·赫纳 ;

M·克拉克 .

中国专利 :CN102709471A ,2012-10-03

[7]

利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 [P].

A·谢瑞克 ;

S·B·赫纳 ;

M·克拉克 .

中国专利 :CN101720508A ,2010-06-02

[8]

电阻式存储器单元和电阻式存储器阵列 [P].

陈达 .

中国专利 :CN101728412A ,2010-06-09

[9]

存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法 [P].

王屏薇 ;

陈瑞麟 ;

林祐宽 .

中国专利 :CN113314168B ,2024-09-13

[10]

存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法 [P].

王屏薇 ;

陈瑞麟 ;

林祐宽 .

中国专利 :CN113314168A ,2021-08-27

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