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半导体器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201720310073.X
申请日：
2017-03-27
公开(公告)号：
CN206685363U
公开(公告)日：
2017-11-28
发明(设计)人：
G·斯希拉
申请人：
申请人地址：
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号：
H01L2300
IPC分类号：
H01L23544
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
王茂华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-11-28 | 授权 | 授权 |