用于制造单晶硅锭的方法、以及通过该制备方法制备的单晶硅锭

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580072689.1

申请日：

2015-07-10

公开(公告)号：

CN107109686A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

姜钟珉宋到原

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

江磊;陈哲锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749359605 IPC(主分类):C30B 15/20 专利申请号:2015800726891 申请日:20150710
2020-06-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 15/20 申请公布日:20170829
2019-09-03	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 15/20 变更事项:申请人变更前:LG矽得荣株式会社变更后:爱思开砂得荣株式会社变更事项:地址变更前:韩国庆尚北道变更后:韩国庆尚北道

共 50 条

[1]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[2]

单晶硅锭和生长该单晶硅锭的方法 [P].

姜钟珉 ;

朴炳祐 .

韩国专利 :CN118461119A ,2024-08-09

[3]

类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭 [P].

陈伟 ;

王万胜 ;

李林东 ;

王全志 ;

陈志军 ;

丁云飞 .

中国专利 :CN113026101A ,2021-06-25

[4]

单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片 [P].

原田和浩 ;

降屋久 .

中国专利 :CN110387578A ,2019-10-29

[5]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151817A ,2017-09-12

[6]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151818A ,2017-09-12

[7]

一种铸造单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭 [P].

雷琦 ;

何亮 ;

徐云飞 ;

毛伟 ;

李建敏 .

中国专利 :CN109989104A ,2019-07-09

[8]

单晶硅锭的制造方法 [P].

末若良太 ;

山田惇弘 .

日本专利 :CN120174468A ,2025-06-20

[9]

单晶硅锭的制造方法 [P].

琴浦荣一郎 .

中国专利 :CN113005509A ,2021-06-22

[10]

拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片 [P].

张婉婉 ;

文英熙 ;

柳清超 .

中国专利 :CN110129884A ,2019-08-16

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