单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610120860.8

申请日：

2016-03-03

公开(公告)号：

CN107151817A

公开(公告)日：

2017-09-12

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B2906 C23C1634 C23C16513

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

金华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 15/00 申请公布日:20170912
2017-09-12	公开	公开
2017-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101751632456 IPC(主分类):C30B 15/00 专利申请号:2016101208608 申请日:20160303

共 50 条

[1]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151818A ,2017-09-12

[2]

单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

卢哲玮 ;

薛抗美 .

中国专利 :CN111394784A ,2020-07-10

[3]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[4]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

[5]

单晶硅锭和生长该单晶硅锭的方法 [P].

姜钟珉 ;

朴炳祐 .

韩国专利 :CN118461119A ,2024-08-09

[6]

籽晶组件、铸造单晶硅锭的生长方法及其铸造单晶硅锭 [P].

雷琦 ;

何亮 ;

宾士勇 ;

李小平 ;

程小娟 ;

毛伟 ;

徐云飞 ;

周成 ;

王文平 ;

甘胜泉 .

中国专利 :CN118814267A ,2024-10-22

[7]

单晶硅生长方法 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105887188A ,2016-08-24

[8]

单晶硅生长设备和生长单晶硅的方法 [P].

全洙仁 .

中国专利 :CN104583467A ,2015-04-29

[9]

单晶硅的生长方法 [P].

末若良太 .

中国专利 :CN105765114A ,2016-07-13

[10]

单晶硅的生长方法 [P].

高沢雅纪 .

中国专利 :CN106460227A ,2017-02-22

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