单晶硅的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580027054.X

申请日：

2015-03-11

公开(公告)号：

CN106460227A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

高沢雅纪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;谢顺星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708777996 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:201580027054X 申请日:20150311
2019-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅生长方法 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105887188A ,2016-08-24

[2]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[3]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

[4]

单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

卢哲玮 ;

薛抗美 .

中国专利 :CN111394784A ,2020-07-10

[5]

单晶硅的生长方法 [P].

末若良太 .

中国专利 :CN105765114A ,2016-07-13

[6]

单晶硅的生长方法 [P].

稻见修一 ;

高濑伸光 ;

小暮康弘 ;

滨田建 ;

中村刚 .

中国专利 :CN101203634B ,2008-06-18

[7]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151817A ,2017-09-12

[8]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151818A ,2017-09-12

[9]

单晶硅的生长设备及生长方法 [P].

蒋立民 ;

楼杭炯 ;

王运动 ;

刘磊 ;

武鹏 ;

马海明 ;

初中原 .

中国专利 :CN119392357A ,2025-02-07

[10]

一种单晶硅的生长方法及单晶硅 [P].

陈鹏 ;

李晓强 .

中国专利 :CN112680787A ,2021-04-20

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