半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580049070.5

申请日：

2005-03-16

公开(公告)号：

CN101142668A

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

永井孝一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101156514378 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2005800490705 放弃生效日:20080312
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107
2008-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩永顺子 ;

高木刚 ;

神泽好彦 ;

空田晴之 ;

齐藤彻 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN1762047A ,2006-04-19

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

三浦成久 ;

中田修平 ;

大塚健一 ;

渡边昭裕 ;

油谷直毅 .

中国专利 :CN102334190A ,2012-01-25

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

野田泰史 .

中国专利 :CN1694263A ,2005-11-09

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

高木刚 .

中国专利 :CN1695254A ,2005-11-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

内山敬太 .

中国专利 :CN1744318A ,2006-03-08

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

塚本雅则 .

中国专利 :CN102290375A ,2011-12-21

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山中贵光 .

中国专利 :CN1910747A ,2007-02-07

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

相田和彦 ;

平濑顺司 ;

小川久 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN1983595A ,2007-06-20

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

林健太 ;

山本克己 ;

中村真 ;

秋山直之 ;

田口恭辅 .

中国专利 :CN104054164A ,2014-09-17

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林勇介 ;

小野泽勇一 ;

武井学 .

中国专利 :CN107078155A ,2017-08-18

← 1 2 3 4 5 →