一种制造多孔硅材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510503647.0

申请日：

2015-08-17

公开(公告)号：

CN105097993A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

李世彬陈乐毅王美娟杨小慧刘德涛

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31028

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

谭新民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	公开	公开
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638517134 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2015105036470 申请日:20150817
2017-07-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755824056 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2015105036470 申请公布日:20151125

共 50 条

[1]

一种多孔硅材料的制备方法、制备的多孔硅材料及其用途 [P].

苏发兵 ;

张在磊 ;

王艳红 ;

翟世辉 .

中国专利 :CN103663458B ,2014-03-26

[2]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022A ,2025-01-14

[3]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022B ,2025-04-01

[4]

多孔硅结构制造方法 [P].

吴厚润 .

中国专利 :CN119626897A ,2025-03-14

[5]

多孔硅材料的制备方法及由该方法制得的多孔硅材料 [P].

张新倍 ;

陈文荣 ;

蒋焕梧 ;

陈正士 ;

林顺茂 .

中国专利 :CN102485945A ,2012-06-06

[6]

一种多孔硅负极材料 [P].

陈青华 ;

肖旦 ;

姚林林 ;

贺劲鑫 .

中国专利 :CN114792781A ,2022-07-26

[7]

发光多孔硅材料的制备方法 [P].

侯晓远 ;

柳毅 ;

熊祖洪 ;

徐少辉 ;

柳玥 ;

刘小兵 ;

丁训民 .

中国专利 :CN1436878A ,2003-08-20

[8]

多孔硅材料的制配方法 [P].

程露丹 ;

张赞 ;

马辉 .

中国专利 :CN105970278A ,2016-09-28

[9]

发光多孔硅材料的制备方法 [P].

侯晓远 ;

范洪雷 ;

柳毅 ;

熊祖洪 ;

丁训民 .

中国专利 :CN1436879A ,2003-08-20

[10]

一种微纳多孔硅材料的制备方法 [P].

李伟 ;

廖家科 ;

吕小龙 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103979485B ,2014-08-13

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