具有行波电极结构的光电子器件及行波电极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710302142.3

申请日：

2007-12-14

公开(公告)号：

CN101183181B

公开(公告)日：

2008-05-21

发明(设计)人：

于弋川

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

G02F1017

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-21	公开	公开
2012-04-25	授权	授权
2008-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有行波电极结构的光电子器件及行波电极结构 [P].

于弋川 .

中国专利 :CN102608775A ,2012-07-25

[2]

具有埋设电极的光电子器件 [P].

J-Y.劳伦特 ;

J-M.维里哈克 .

中国专利 :CN103026527B ,2013-04-03

[3]

电极和光电子器件以及用于制造光电子器件的方法 [P].

西尔克·恰尔纳 ;

托马斯·韦卢斯 .

中国专利 :CN105378965A ,2016-03-02

[4]

具有多层结构的光电子器件 [P].

J·A·塞拉 ;

L·N·路易斯 .

中国专利 :CN101405244A ,2009-04-08

[5]

具有多层结构的光电子器件 [P].

L·N·路易斯 ;

J·A·塞拉 .

中国专利 :CN101405245A ,2009-04-08

[6]

紫外光电子器件的外延结构及光电子器件 [P].

孙秀建 ;

黄应南 ;

孙钱 ;

刘建勋 ;

冯美鑫 ;

杨辉 ;

许奇明 ;

沈雁伟 ;

魏永强 .

中国专利 :CN222840029U ,2025-05-06

[7]

电极结构、电极及电子器件 [P].

F·塞利尼 ;

S·阿多尔诺 ;

D·帕希 ;

M·萨利纳 .

中国专利 :CN216624272U ,2022-05-27

[8]

光电子器件及制造光电子器件的方法 [P].

马提亚斯·希恩 .

中国专利 :CN114365283A ,2022-04-15

[9]

光电子器件及制造光电子器件的方法 [P].

马提亚斯·希恩 .

德国专利 :CN114365283B ,2025-11-14

[10]

电子器件和光电器件的电极结构 [P].

桑托斯·F·阿尔瓦拉多 ;

蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩 ;

布莱恩·克龙 ;

尤特·德雷克斯勒 ;

罗兰·W·杰曼 ;

西格弗里德·F·卡格 ;

彼得·米勒 ;

黑克·赖尔 ;

沃尔特·里斯 ;

比特·鲁斯塔勒 ;

保罗·塞德勒 ;

罗兰·W·威德默 .

中国专利 :CN100531500C ,2006-11-29

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