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一种压电衬底
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201921561907.X
申请日
:
2019-09-19
公开(公告)号
:
CN211127745U
公开(公告)日
:
2020-07-28
发明(设计)人
:
李勇
朱卫俊
何朝峰
黄亮
马杰
王祥邦
周陈程
沈得田
林毅
申请人
:
申请人地址
:
313200 浙江省湖州市武康志远北路188号
IPC主分类号
:
H03H902
IPC分类号
:
H03H905
H03H9145
代理机构
:
杭州丰禾专利事务所有限公司 33214
代理人
:
王鹏举
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-07-28
授权
授权
共 50 条
[1]
一种压电衬底结构及其制备方法
[P].
母凤文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
郭超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
郭超
;
于佳杨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
于佳杨
.
中国专利
:CN117545337A
,2024-02-09
[2]
一种压电衬底结构及其制备方法
[P].
母凤文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
郭超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
郭超
;
于佳杨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
于佳杨
.
中国专利
:CN117545337B
,2024-04-09
[3]
一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件
[P].
欧欣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
欧欣
;
柯新建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
柯新建
;
黄凯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄凯
.
中国专利
:CN114189224A
,2022-03-15
[4]
一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件
[P].
欧欣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海新硅聚合半导体有限公司
上海新硅聚合半导体有限公司
欧欣
;
柯新建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海新硅聚合半导体有限公司
上海新硅聚合半导体有限公司
柯新建
;
黄凯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海新硅聚合半导体有限公司
上海新硅聚合半导体有限公司
黄凯
.
中国专利
:CN114189224B
,2025-11-04
[5]
一种复合压电衬底结构
[P].
母凤文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
谭向虎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
谭向虎
;
刘福超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
刘福超
.
中国专利
:CN223364506U
,2025-09-19
[6]
一种复合压电衬底及谐振器
[P].
宋永军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
宋永军
;
刘福超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
刘福超
;
母凤文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
谭向虎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
谭向虎
.
中国专利
:CN223109988U
,2025-07-15
[7]
一种滤波器用压电衬底结构及其制备方法
[P].
李洋洋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李洋洋
;
李真宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李真宇
;
杨超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨超
;
张涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张涛
.
中国专利
:CN113922778B
,2022-01-11
[8]
一种复合压电衬底的制备方法
[P].
王丹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
王丹
;
高文琳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
高文琳
;
母凤文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
郭超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
郭超
.
中国专利
:CN117156947B
,2024-02-20
[9]
一种复合压电衬底及其制备方法
[P].
母凤文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
黄秀松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
黄秀松
;
高文琳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
高文琳
;
郭超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
郭超
.
中国专利
:CN117750868B
,2024-05-10
[10]
一种复合压电衬底及其制备方法
[P].
母凤文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
黄秀松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
黄秀松
;
高文琳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
高文琳
;
郭超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
郭超
.
中国专利
:CN117750868A
,2024-03-22
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